【上海ＩＰＯ】半導体薄膜形成装置の拓荊科技、初値は公開価格を３２．１８％上回る

　ハイエンド向け半導体薄膜形成設備を製造する拓荊科技（６８８０７２／上海）が４月２０日、上海証券取引所の科創板に新規上場した。公開価格は７１．８８元に対し、初値は３２．１８％高い９５．０１元だった。一時１０５元近くまで上昇したが、上場初日の終値は同２８．４１％高の９２．３０元だった。 　同社は２０１０年設立で、２１年に株式会社化した。ハイエンドの半導体専用設備の研究開発、生産、販売、技術サービスを主業務としており、プラズマ励起化学気相成膜（ＰＥＣＶＤ）装置、原子層堆積（ＡＬＤ）装置、準大気圧ＣＶＤ（ＳＡＣＶＤ）装置の３シリーズからなる薄膜形成設備が主力製品。製品は１４ナノメートル以上の集積回路（ＩＣ）製造に広く用いられており、１０ナノメートル以下の製造工程についても実用化に向けた検証が進んでいる。２１年１〜９月期の売上構成は、ＰＥＣＶＤ設備が８８．６９％となっている。 　２０２１年１２月期の売上高は７億５７９６万元（前期比７３．９９％増）、純利益は６８４８万元（前期は１１４８万元の純損失）。２２年１〜３月期の業績予告は売上高が１億〜１億２０００万元（前年同期比７３．１９〜１０７．８２％増）、純損失が７００万〜２０００万元（同９３．６７％損失増〜６７．７８％損失減）となっている。 　新規上場に伴い調達予定の１０億２９万元（約２００億円）は、約８％の７９８６万元をハイエンド半導体設備生産拡大プロジェクトに、約４０％の３億９９４８万元を先進半導体設備の技術開発・改良プロジェクトに、約２７％の２億７０９４万元をＡＬＤ設備の研究開発・産業化プロジェクトに用いる。（編集担当：今関忠馬）（イメージ写真提供：１２３ＲＦ）